Sistema de Submissão de Resumos, I Encontro de Iniciação Científica - 2011 (ENCERRADO)

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Estudo de Camadas Isolantes para capacitores metal-isolante-semicondutor orgânico visando o desenvolvimento de transistores de efeito de campo orgânico
Adriano Reinaldo Benvenho, Leonardo Ribeiro Marques da Silva

Última alteração: 2011-09-08

Resumo


No presente trabalho foi feito em sua primeira parte um aprendizado de como fazer simulações no programa MATLAB®, simulando circuitos elétricos para o estudo das propriedades elétricas de capacitores metal-isolante-semicondutor (MIS) e, sobre o método de espectroscopia de admitância simulando circuitos elétricos equivalentes, sendo modificados parâmetros como: capacitância do semicondutor, capacitância da camada isolante e resistência do filme semicondutor orgânico.

Na segunda parte do projeto ao qual compete esse relatório foram feitos capacitores MIS em estrutura Al/poli(vinil-álcool + 25 % de dicromato de amônia)/fulereno/Al, aplicando um modelo de circuito equivalente para os dispositivos fabricados, como aspecto principal está a fabricação de um dispositivo totalmente orgânico e que, além dos resultados esperados foi possível desenvolver uma primeiro protótipo de um transistor de efeito de campo de canal-n relacionado as propriedades da camada ativa de fulereno.